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文献
J-GLOBAL ID：201802220835422691
整理番号：18A0365621
Low-Temperature Deposition of SiNx Films in SiH4/Ar + N2 Inductively Coupled Plasma under High Silane Dilution with Argon
OKHAPKIN A. I.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
KOROLYOV S. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
YUNIN P. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
DROZDOV M. N.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
KRAEV S. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
KHRYKIN O. I.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
SHASHKIN V. I.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 11 ページ： 1449-1452 発行年： 2017年11月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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