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文献
J-GLOBAL ID：201802221015056745
整理番号：18A0728880
二重レンズ電子ホログラフィーと走査型静電容量顕微鏡によるホットキャリアストレスデバイスの接合プロファイリング【JST・京大機械翻訳】
Junction profiling on hot carrier stressed device by dual lens electron holography and scanning capacitance microscopy
Wang Y.Y.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Nxumalo J.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Ioannou D.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Katnani A.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Jeon J.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Bandy K.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Mcdonald M.
(Globalfoundires Inc. Hudson Valley Research Park, 2070 Route 52, Hopewell Jct., NY 12533, USA)
,
Bruley J.
(IBM T. J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Route 134, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IWJT ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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