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文献
J-GLOBAL ID：201802221176220889
整理番号：18A1330568
塩素プラズマを用いたGaNエッチングプロセスにおけるプラズマ誘起ダメージと化学反応の温度依存性
Temperature dependence on plasma-induced damage and chemical reactions in GaN etching processes using chlorine plasma
LIU Zecheng
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Kenji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IMAMURA Masato
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TSUTSUMI Takayoshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ODA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S2 ページ： 06JD01.1-06JD01.6 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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