文献
J-GLOBAL ID:201802221300493170
整理番号:18A0197618
GaAs PHEMTによって構築された低雑音増幅器のバーンアウト効果に関するマイクロ波パルスパラメータの影響【Powered by NICT】
Influence of microwave pulse parameters on the burnout effect of an LNA constructed by a GaAs PHEMT
著者 (2件):
Yi Shipeng
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Du Zhengwei
(Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EMC-Beijing
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)