文献
J-GLOBAL ID:201802221397078705
整理番号:18A0446861
SiC化学蒸着トレンチの最初のトポグラフィーシミュレーションGibbs-Thomson効果の重要な影響を充填,実証【Powered by NICT】
First topography simulation of SiC-chemical-vapor-deposition trench filling, demonstrating the essential impact of the Gibbs-Thomson effect
著者 (5件):
Mochizuki K.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Ji S.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Kosugi R.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Yonezawa Y.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Okumura H.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
35.4.1-35.4.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)