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文献
J-GLOBAL ID：201802221778581010
整理番号：18A0722195
ステップ傾斜電子注入器を用いた増強InGaN/GaN発光ダイオードのための二段階不動態化【JST・京大機械翻訳】
Two-step passivation for enhanced InGaN/GaN light emitting diodes with step graded electron injectors
Sheremet V.
(Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey)
,
Genc M.
(Optoelectronic R&D Center, Ermaksan, Bursa, 16065, Turkey)
,
Gheshlaghi N.
(Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey)
,
Elci M.
(Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey)
,
Sheremet N.
(Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey)
,
Sheremet N.
(Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, 03680, Ukraine)
,
Aydinli A.
(Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey)
,
Aydinli A.
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Uludag University, Bursa, 16059, Turkey)
,
Altuntas I.
(Department of Nanotechnology Engineering, Cumhuriyet University, Sivas, 58140, Turkey)
,
Ding K.
(Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA)
,
Avrutin V.
(Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA)
,
OEzguer UE.
(Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA)
,
Morkoc H.
(Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 113 ページ： 623-634 発行年： 2018年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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