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文献
J-GLOBAL ID：201802221857492118
整理番号：18A0227642
A vacancy-modulated self-selective resistive switching memory with pronounced nonlinear behavior
MA Haili
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
FENG Jie
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
GAO Tian
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHU Xi
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123 号： 12 ページ： 730,1-7 発行年： 2017年12月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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