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文献
J-GLOBAL ID：201802222024279442
整理番号：18A0194121
3D NANDフラッシュメモリの重イオン及び陽子誘起シングルイベントアップセット特性【Powered by NICT】
Heavy Ion and Proton-Induced Single Event Upset Characteristics of a 3-D NAND Flash Memory
Chen Dakai
(NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA)
,
Wilcox Edward
(ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA)
,
Ladbury Raymond L.
(NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA)
,
Seidleck Christina
(ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA)
,
Kim Hak
(ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA)
,
Phan Anthony
(ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA)
,
LaBel Kenneth A.
(NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65 号： 1 ページ： 19-26 発行年： 2018年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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