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文献
J-GLOBAL ID：201802222457504950
整理番号：18A1782084
KuおよびKバンドにおける広帯域0.18μm SiGe BiCMOS電力増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】
Design of a wideband 0.18-μm SiGe BiCMOS power amplifier in Ku and K bands
Hsiao Meng-Jie
(Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas)
,
Kim Kyoungwoon
(Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas)
,
Nguyen Cam
(Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas)
資料名：
Microwave and Optical Technology Letters
(Microwave and Optical Technology Letters)
巻： 60 号： 10 ページ： 2392-2397 発行年： 2018年
JST資料番号： T0712A ISSN： 0895-2477 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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