文献
J-GLOBAL ID:201802222561408714
整理番号:18A1860000
電気ストレスによるMOSFETにおける閾値電圧劣化のプロファイル推定法【JST・京大機械翻訳】
Method to estimate profile of threshold voltage degradation in MOSFETs due to electrical stress
著者 (4件):
Yun Yeohyeok
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongbuk 790-784, Republic of Korea)
,
Seo Ji-Hoon
(Memory Division, Samsung Electronics, Hwasung, Gyeonggi 445-701, Republic of Korea)
,
Son Donghee
(Memory Division, Samsung Electronics, Hwasung, Gyeonggi 445-701, Republic of Korea)
,
Kang Bongkoo
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongbuk 790-784, Republic of Korea)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
88-90
ページ:
186-190
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)