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J-GLOBAL ID：201802222620275380 整理番号：18A0969072

ワイドバンドギャップGaNとAlGaNにおける固有無放射再結合中心の起源と性質【JST・京大機械翻訳】

The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN

著者 (9件)：

Chichibu S. F.

(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)

Uedono A.

(Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, Japan)

Kojima K.

(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)

Ikeda H.

(LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan)

Fujito K.

(LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan)

Takashima S.

(Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan)

Edo M.

(Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan)

Ueno K.

(Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan)

Ishibashi S.

(Research Center for Computational Design of Advanced Functional Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 123 号： 16 ページ： 161413-161413-13 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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