文献
J-GLOBAL ID:201802223011814154
整理番号:18A0027345
56nm SOI CMOSによるカスコードMOSFETのための新しい適応バイアス回路を有する28GHzバンド高線形電力増幅器【Powered by NICT】
A 28-GHz band highly linear power amplifier with novel adaptive bias circuit for cascode MOSFET in 56-nm SOI CMOS
著者 (3件):
Sato Hiroya
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Yanagisawa Masao
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Yoshimasu Toshihiko
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EDSSC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)