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J-GLOBAL ID:201802223011814154   整理番号:18A0027345

56nm SOI CMOSによるカスコードMOSFETのための新しい適応バイアス回路を有する28GHzバンド高線形電力増幅器【Powered by NICT】

A 28-GHz band highly linear power amplifier with novel adaptive bias circuit for cascode MOSFET in 56-nm SOI CMOS
著者 (3件):
Sato Hiroya
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
Yanagisawa Masao
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
Yoshimasu Toshihiko
(The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: EDSSC  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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