文献
J-GLOBAL ID:201802223171127774
整理番号:18A2041819
AIGAN/GaN界面における「シート」電荷濃度の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of the “Sheet” Charge Concentration at the AIGaN/GaN Interface
著者 (5件):
Awaah Michael A.
(CSET/CHSS, Grand Canyon University, Faculty Member, 3300 W. Camelback Road Phoenix, AZ, 85017)
,
Awaah Isibhakhomen
(Senior Process Engineer, 3320 E Yellowstone Place, Chandler, Arizona, 85249)
,
Akpa Okechukwu
(Senior Process Engineer, 3320 E Yellowstone Place, Chandler, Arizona, 85249)
,
Obahiagbon Uwadiae
(Electrical Engineering Dent., Arizona State University, Graduate Student, Tempe, AZ, 85281)
,
Aganah Kennedy
(Department of Electrical Engineering, Tuskegee University, Assistant Professor, Tuskegee, Al, 36088)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
PowerAfrica
ページ:
67-72
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)