文献
J-GLOBAL ID:201802223430083740
整理番号:18A0799327
バルクGeの衛線および歪バンドギャップ遷移:準粒子準位に対する擬ポテンシャル近似の影響【JST・京大機械翻訳】
Satellite valleys and strained band gap transition of bulk Ge: Impact of pseudopotential approximations on quasiparticle levels
著者 (3件):
Greene-Diniz G.
(Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom)
,
Abreu J.C.
(Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom)
,
Gruening M.
(Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom)
資料名:
Computational Materials Science
(Computational Materials Science)
巻:
149
ページ:
115-124
発行年:
2018年
JST資料番号:
W0443A
ISSN:
0927-0256
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)