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文献
J-GLOBAL ID：201802223492376111
整理番号：18A0860842
Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける閾値電圧シフトと界面/境界捕獲機構【JST・京大機械翻訳】
Threshold voltage shift and interface/border trapping mechanism in Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Zhu Jiejie
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hou Bin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Chen Lixiang
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhu Qing
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Yang Ling
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhou Xiaowei
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhang Peng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Ma Xiaohua
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IRPS ページ： P-WB.1-1-P-WB.1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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