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文献
J-GLOBAL ID：201802223551086634
整理番号：18A0190820
AlN及びGaN核形成層を用いて成長させたとサファイア基板上に作製したAlGaN/GaNH EMTの比較【Powered by NICT】
Comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown and fabricated on sapphire substrate with AIN and GaN nucleation layers
Gao N.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Fang Y. L.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Yin J. Y.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Wang B.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Guo Y. M.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
He Z. Z.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Gu G. D.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Guo H. Y.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Feng Z. H.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
,
Cai S. J.
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SSLChina: IFWS ページ： 195-199 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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