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J-GLOBAL ID：201802223733365425 整理番号：18A0062115

陰極ルミネセンスによる単一GaAsナノワイヤ中のn型ドーピングレベルの決定

Determination of n-Type Doping Level in Single GaAs Nanowires by Cathodoluminescence

著者 (16件)：

CHEN Hung-Ling

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

HIMWAS Chalermchai

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

SCACCABAROZZI Andrea

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

SCACCABAROZZI Andrea

(Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA)

RALE Pierre

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

OEHLER Fabrice

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

LEMAITRE Aristide

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

LOMBEZ Laurent

(Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA)

LOMBEZ Laurent

(ChimieParisTech, Chatou, FRA)

GUILLEMOLES Jean-Francois

(Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA)

GUILLEMOLES Jean-Francois

(ChimieParisTech, Chatou, FRA)

TCHERNYCHEVA Maria

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

HARMAND Jean-Christophe

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

CATTONI Andrea

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

COLLIN Stephane

(Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)

COLLIN Stephane

(Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA)

資料名：

Nano Letters (Nano Letters)

巻： 17 号： 11 ページ： 6667-6675 発行年： 2017年11月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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