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文献
J-GLOBAL ID：201802223852655539
整理番号：18A0160716
相変化メモリのための磁束-電荷メモリスタモデル【Powered by NICT】
Flux-Charge Memristor Model for Phase Change Memory
Secco Jacopo
(Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Turin, Italy)
,
Corinto Fernando
(Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Turin, Italy)
,
Sebastian Abu
(IBM Research-Zurich, Zuerich, Switzerland)
資料名：
IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 65 号： 1 ページ： 111-114 発行年： 2018年
JST資料番号： W0347A ISSN： 1549-7747 CODEN： ITCSFK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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