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文献
J-GLOBAL ID：201802223918682901
整理番号：18A1679519
Al2O3ゲート誘電体を用いた酸化亜鉛薄膜トランジスタのホットキャリア応力研究【JST・京大機械翻訳】
Hot Carrier Stress Investigation of Zinc Oxide Thin Film Transistors with an Al2O3 Gate Dielectric
Rodriguez-Davila Rodolfo A.
(Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080)
,
Mejia Israel
(Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080)
,
Quevedo-Lopez Manuel
(Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080)
,
Young Chadwin D.
(Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IPFA ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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