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文献
J-GLOBAL ID：201802223967039416
整理番号：18A0968240
高分子絶縁体における誘導電荷によるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおけるキャリア極性エンジニアリング【JST・京大機械翻訳】
Carrier polarity engineering in carbon nanotube field-effect transistors by induced charges in polymer insulator
Aikawa Shinya
(Research Institute for Science and Technology, Kogakuin University, Hachioji, Tokyo 192-0015, Japan)
,
Kim Sungjin
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Thurakitseree Theerapol
(Program in Applied Physics, Faculty of Science, Maejo University, Chiang Mai 50290, Thailand)
,
Einarsson Erik
(Department of Electrical Engineering, Department of Materials Design and Innovation, University at Buffalo, Buffalo, New York 14260, USA)
,
Inoue Taiki
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Chiashi Shohei
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Tsukagoshi Kazuhito
(WPI Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Maruyama Shigeo
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 1 ページ： 013501-013501-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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