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文献
J-GLOBAL ID：201802223977211942
整理番号：18A1669527
Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films
中村和樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
大橋遼
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
横山大
(東北大 電通研)
,
田島圭一郎
(東北大 電通研)
,
遠藤則史
(東北大 電通研)
,
末光眞希
(東北大 電通研)
,
遠田義晴
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
小林康之
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
鈴木裕史
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
中澤日出樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118 号： 179(CPM2018 8-19) ページ： 1-6 発行年： 2018年08月02日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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