前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802224329268509
整理番号：18A0910889
強誘電体ゲート絶縁膜を用いた負性容量電界効果トランジスタのフリンジ電界効果
Fringing field effects in negative capacitance field-effect transistors with a ferroelectric gate insulator
HATTORI Junichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Koichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
IKEGAMI Tsutomu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ASAI Hidehiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FD07.1-04FD07.7 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。