文献
J-GLOBAL ID:201802224410159615
整理番号:18A0910935
ノーマリオフAl2O3/GaN MOSFETのための「オーミックファースト」自己終端ゲートリセス技術
An “ohmic-first” self-terminating gate-recess technique for normally-off Al2O3/GaN MOSFET
著者 (9件):
WANG Hongyue
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Jinyan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LI Mengjun
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HE Yandong
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Maojun
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
YU Min
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WU Wengang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHOU Yang
(China Acad. of Engineering Physics, Chengdu, CHN)
,
DAI Gang
(China Acad. of Engineering Physics, Chengdu, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
4S
ページ:
04FG05.1-04FG05.6
発行年:
2018年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)