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文献
J-GLOBAL ID：201802224795451554
整理番号：18A0931477
層状ナノシートにおける巨大および線形圧電-光トロニック応答【JST・京大機械翻訳】
Giant and Linear Piezo-Phototronic Response in Layered GaSe Nanosheets
Jia Tanhua
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Jia Tanhua
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Fuh Huei-Ru
(Department of Chemical Engineering & Material Science, Yuan Ze University, Taiwan)
,
Fuh Huei-Ru
(Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan)
,
Chen Dengyun
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Chen Dengyun
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Abid Mohamed
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Abid Mohamed
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Abid Mourad
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Abid Mourad
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Zhang Duan
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Zhang Duan
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Sarker Anas B.
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Sarker Anas B.
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Cho Jiung
(Western Seoul Center, Korea Basic Science Institute, Seoul, 03579, Republic of Korea)
,
Choi Miri
(Chuncheon Center, Korea Basic Science Institute, Chuncheon, 24341, Republic of Korea)
,
Chun Byong Sun
(Division of Industrial Metrology, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Republic of Korea)
,
Xu Hongjun
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Xu Hongjun
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
O Coileain Cormac
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
O Coileain Cormac
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Liu Huajun
(Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China)
,
Chang Ching-Ray
(Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan)
,
Wu Han-Chun
(Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
,
Wu Han-Chun
(Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 4 号： 4 ページ： e1700447 発行年： 2018年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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