文献
J-GLOBAL ID:201802224876628648
整理番号:18A1520299
Raman散乱と赤外反射分光法によるGaNバルク基板のキャリア濃度と移動度のキャラクタリゼーション
Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies
著者 (6件):
KANEGAE Kazutaka
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KANEKO Mitsuaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
7
ページ:
070309.1-070309.4
発行年:
2018年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)