文献
J-GLOBAL ID:201802224960311678
整理番号:18A1490533
島におけるナノスケールの成長に及ぼす異方性Si(111)-(4×1)-In表面の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of anisotropic Si(111)-(4 × 1)-In surface on growth of nanoscale In islands
著者 (2件):
Chandola Sandhya
(Leibniz-Institut fuer Analytische Wissenschaften-ISAS-e.V., Schwarzschildstrasse 8, 12489 Berlin, Germany)
,
Esser Norbert
(Leibniz-Institut fuer Analytische Wissenschaften-ISAS-e.V., Schwarzschildstrasse 8, 12489 Berlin, Germany)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
36
号:
4
ページ:
04H103-04H103-6
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)