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文献
J-GLOBAL ID:201802225147827454   整理番号:18A0091753

蓄積電荷測定を用いたポリ-3(ヘキシルチオフェン)/金属界面における正孔注入障壁の推定【Powered by NICT】

Estimation of hole injection barrier at the poly-3(hexylthiophene)/metal interface using accumulated charge measurement
著者 (6件):
Tajima Hiroyuki
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
Yasukawa Naoto
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
Nakatani Hisaki
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
Sato Seiichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
Kadoya Tomofumi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
Yamada Jun-ichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)

資料名:
Organic Electronics  (Organic Electronics)

巻: 51  ページ: 162-167  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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