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文献
J-GLOBAL ID：201802225236240678
整理番号：18A2029343
200mm Gesnoi基板上に実現されたサブ10nmフィン幅を持つGeSn p-FinFET 63mV/10,最高のG_m,900μs/μmの最低SS,および275cm2/Vの高磁場μ_effの高電界μ_eff【JST・京大機械翻訳】
GeSn p-FinFETs with Sub-10 nm Fin Width Realized on a 200 mm GeSnOI Substrate: Lowest SS of 63 mV/decade, Highest Gm,int of 900 μS/μm, and High-Field μeff of 275 cm2/V・s
Lei Dian
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Han Kaizhen
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Lee Kwang Hong
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore)
,
Huang Yi-Chiau
(Applied Materials Inc., Sunnyvale, California, United States)
,
Wang Wei
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Yadav Sachin
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Kumar Annie
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Wu Ying
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Heliu Huiquan
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Xu Shengqiang
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Kang Yuye
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Li Yang
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Kong Eugene Y.-J.
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Tan Chuan Seng
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore)
,
Gong Xiao
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： VLSI Technology ページ： 197-198 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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