文献
J-GLOBAL ID:201802225293714077
整理番号:18A2041274
高出力638nm AlInGaP大面積レーザダイオードとその信頼性【JST・京大機械翻訳】
High-Power 638-nm AlInGaP Broad Area Laser Diode and its Reliability
著者 (5件):
Yagi Tetsuya
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Kuramoto Kyosuke
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Abe Shinji
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Miyashita Motoharu
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Nishida Takehiro
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISLC
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)