文献
J-GLOBAL ID:201802225320972389
整理番号:18A0154563
亜鉛格子間原子ドープしたIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極の電子的および光学的性質に関する研究【Powered by NICT】
Study on the electronic and optical properties of zinc interstitial doped In0.53Ga0.47As (100) β2 (2 × 4) photocathode
著者 (6件):
Zou Xiyong
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
,
Zou Xiyong
(Institute of Optoelectronics Technology, Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Zhang Shuqin
(Institute of Optoelectronics Technology, Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Chen Liang
(Institute of Optoelectronics Technology, Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Jin Shangzhong
(Institute of Optoelectronics Technology, Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Gan Deqiang
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名:
Optik
(Optik)
巻:
156
ページ:
866-871
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0251A
ISSN:
0030-4026
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)