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文献
J-GLOBAL ID：201802225373846443
整理番号：18A0442569
65nm CMOSプロセスに基づくDC110GHz連続可変減衰器【Powered by NICT】
DC-110GHz continuous variable attenuator based on 65nm CMOS process
Lv Jiamei
(Key Laboratory for RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Wen Jincai
(Key Laboratory for RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Wang Long
(Key Laboratory for RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Zhang Qingping
(Key Laboratory for RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Wang Yonghe
(Key Laboratory for RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDAPS ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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