文献
J-GLOBAL ID:201802225478378493
整理番号:18A1426874
Ta_2O_5抵抗性アナログ神経形態デバイスにおける抵抗スイッチング挙動の電極材料依存性【JST・京大機械翻訳】
Electrode material dependence of resistive switching behavior in Ta2O5 resistive analog neuromorphic device
著者 (4件):
Shima Hisashi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Takahashi Makoto
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Naitoh Yasuhisa
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Akinaga Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
EDTM
ページ:
62-64
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)