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文献
J-GLOBAL ID：201802225807320090
整理番号：18A0931502
大きな組込み場は双極子構造を持つナノスケール分子デバイスの電子特性を制御する【JST・京大機械翻訳】
Large Built-In Fields Control the Electronic Properties of Nanoscale Molecular Devices with Dipolar Structures
Van Dyck Colin
(Nanotechnology Research Centre - National Research Council of Canada, University of Alberta, 11421 Saskatchewan Dr NW, Edmonton, AB, T6G 2M9, Canada)
,
Bergren Adam J.
(Nanotechnology Research Centre - National Research Council of Canada, University of Alberta, 11421 Saskatchewan Dr NW, Edmonton, AB, T6G 2M9, Canada)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 4 号： 5 ページ： e1700656 発行年： 2018年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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