文献
J-GLOBAL ID:201802226229238774
整理番号:18A0445012
改良SVL(ISVL)技術を用いた低電力7T SRAMセルの解析【Powered by NICT】
Analysis of low power 7T SRAM cell employing improved SVL (ISVL) technique
著者 (2件):
Kumar C S Hemanth
(Department of ECE, R V College of Engineering, Bengaluru, India (Affiliated to VTU, Belagavi))
,
Kariyappa B S
(Department of ECE, R V College of Engineering, Bengaluru, India (Affiliated to VTU, Belagavi))
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICEECCOT
ページ:
478-482
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)