文献
J-GLOBAL ID:201802226340639004
整理番号:18A0481217
グラフェン状III-窒化物半導体のバンドアラインメント【Powered by NICT】
Band alignments of graphene-like III-nitride semiconductors
著者 (1件):
Ota Yuichi
(Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, 2-4-10 Aomi, Koto-ku, Tokyo, 135-0064, Japan)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
270
ページ:
147-150
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)