文献
J-GLOBAL ID:201802226514650582
整理番号:18A0190945
内容アドレス可能メモリのためのマッチングの65nm CMOS素子におけるシングルイベント過渡現象のTCADシミュレーション【Powered by NICT】
TCAD simulation of single-event transients in the 65-nm CMOS element of matching for a content-addressable memory
著者 (2件):
Katunin Yuri V.
(Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences, Nakhimovsky pr. 36-1, 117218 Moscow, Russia)
,
Stenin Vladimir Ya.
(National Research Nuclear University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute), Kashirskoe sh. 31, 115409 Moscow, Russia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
TELFOR
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)