文献
J-GLOBAL ID:201802226767042761
整理番号:18A0649508
高In成分InGaNAs/GaAs量子井戸の成長と発光特性【JST・京大機械翻訳】
Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition
著者 (5件):
Dan Rui
(云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
,
Zhou Haichun
(云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
,
Hao Ruiting
(云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
,
Ou Quanhong
(云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
,
Guo Jie
(云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
資料名:
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻:
38
号:
11
ページ:
1510-1515
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1380A
ISSN:
1000-7032
CODEN:
FAXUEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)