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文献
J-GLOBAL ID：201802226839946489
整理番号：18A2042169
150mm 4H SiC基板結晶品質の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of 150 mm 4H SiC Substrate Crystal Quality
Manning Ian
(Dow Corning Corporation, Semiconductor Solutions; P.O. Box 994, Midland, USA, MI 48686)
,
Chung Gil Yong
(Dow Corning Corporation, Semiconductor Solutions; P.O. Box 994, Midland, USA, MI 48686)
,
Sanchez Edward
(Dow Corning Corporation, Semiconductor Solutions; P.O. Box 994, Midland, USA, MI 48686)
,
Yang Yu
(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)
,
Guo Jian Qiu
(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)
,
Goue Ouloide
(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)
,
Raghothamachar Balaji
(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)
,
Dudley Michael
(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 924 ページ： 11-14 発行年： 2018年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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