文献
J-GLOBAL ID:201802226939402377
整理番号:18A0445027
経時的温度ジャンプと結合したDPLモデルに基づくナノトランジスタにおけるフォノン温度の熱分析【Powered by NICT】
Thermal analysis of phonon temperature in nano transistor based on DPL model coupled with temporal temperature jump
著者 (2件):
Nasri Faouzi
(Research and Technology Centre of Energy, Laboratory of thermal process, Hammam Lif 2050, Tunisia)
,
Aissa Mohamed Fadhel Ben
(Research and Technology Centre of Energy, Laboratory of thermal process, Hammam Lif 2050, Tunisia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICEMIS
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)