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J-GLOBAL ID:201802227036472616   整理番号:18A1191896

数層GeAs電界効果トランジスタと赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Few-Layer GeAs Field-Effect Transistors and Infrared Photodetectors
著者 (14件):
Guo Jian
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Liu Yuan
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Ma Yue
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Zhu Enbo
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Lee Shannon
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Lee Shannon
(Department of Chemistry, Iowa State University, and Ames Laboratory, Ames, IA, 50011, USA)
Lu Zixuan
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Zhao Zipeng
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Xu Changhao
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Lee Sung-Joon
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Wu Hao
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Kovnir Kirill
(Department of Chemistry, Iowa State University, and Ames Laboratory, Ames, IA, 50011, USA)
Huang Yu
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
Duan Xiangfeng
(Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 30  号: 21  ページ: e1705934  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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