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文献
J-GLOBAL ID：201802227268864175
整理番号：18A2111882
マグネトロンスパッタリングにより作製したトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3薄膜の形態と電気輸送特性に及ぼすスパッタリングパワーと圧力の影響【JST・京大機械翻訳】
The effect of sputtering power and pressure on the morphology and electrical transport properties of topological insulator Bi2Se3 thin films prepared by magnetron sputtering
Zhang J.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Jin R.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Liu Q. Y.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Zhao T.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Zhao K.
(School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Yang X. S.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
,
Zhao Y.
(Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
資料名：
International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics
(International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 32 号： 16 ページ： 1850195 発行年： 2018年
JST資料番号： T0396A ISSN： 0217-9792 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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