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J-GLOBAL ID:201802227524657127   整理番号:18A1784188

高品質還元酸化グラフェンの環境条件生産【JST・京大機械翻訳】

Ambient Condition Production of High Quality Reduced Graphene Oxide
著者 (13件):
Evlashin Stanislav A.
(Center for Design, Manufacturing and Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia)
Svyakhovskiy Sergey E.
(Department of Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Fedorov Fedor S.
(Center for Photonics and Quantum Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia)
Mankelevich Yuri A.
(D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Dyakonov Pavel V.
(D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Minaev Nikita V.
(Institute of Photonic Technologies, Research center “Crystallography and Photonics”, RAS, 142190, Troitsk, Moscow, Russia)
Dagesyan Sarkis A.
(Department of Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Maslakov Konstantin I.
(Department of Chemistry, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Khmelnitsky Roman A.
(P. N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, 119991, Moscow, Russia)
Suetin Nikolay V.
(D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia)
Akhatov Iskander S.
(Center for Design, Manufacturing and Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia)
Nasibulin Albert G.
(Center for Photonics and Quantum Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia)
Nasibulin Albert G.
(Department of Applied Physics, Aalto University, School of Science, P.O. Box 15100, FI-00076, Espoo, Finland)

資料名:
Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)

巻:号: 18  ページ: e1800737  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2484A  ISSN: 2196-7350  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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