文献
J-GLOBAL ID:201802227942345324
整理番号:18A1895672
調整可能な側壁犠牲層を持つ超低作動電圧MEMSスイッチ【JST・京大機械翻訳】
Ultra-low actuation voltage MEMS switch with tunable side wall sacrificial layer
著者 (2件):
Kumar Sushil
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, 110016, India)
,
Singh Pushpapraj
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, 110016, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
INDICON
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)