文献
J-GLOBAL ID:201802227955215397
整理番号:18A0265865
静水圧と電場効果の下での(In,Ga)N/GaNコア/シェルにおけるドナーの光イオン化断面積【Powered by NICT】
Photo-ionization cross-section of donor-related in (In,Ga)N/GaN core/shell under hydrostatic pressure and electric field effects
著者 (2件):
El Ghazi Haddou
(Ecole Nationale Superieure des Arts et Metiers (ENSAM), Universite Hassan II, 150 Nile, Sidi Othmane, Casablanca, Morocco)
,
John Peter A.
(Department of Physics, Govt. Arts and Science College, Melur, 625106 Madurai, India)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
104
ページ:
222-231
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)