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文献
J-GLOBAL ID：201802228116066242
整理番号：18A1777154
(411)A InP基板上に成長させたInGaAs/InAlAs量子カスケードレーザにおける界面粗さ散乱の低減【JST・京大機械翻訳】
Reduced interface roughness scattering in InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers grown on (411)A InP substrates
Semtsiv M. P.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Kurlov S. S.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Alcer D.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Matsuoka Y.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Kischkat J.-F.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Bierwagen O.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Masselink W. T.
(Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 12 ページ： 121110-121110-4 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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