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J-GLOBAL ID：201802228171731446 整理番号：18A0956418

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (5件)：

谷川智之

(東北大金属材料研)

PRASERTSUK Kiattiwut

(東北大金属材料研)

木村健司

(東北大金属材料研)

窪谷茂幸

(東北大金属材料研)

松岡隆志

(東北大金属材料研)

資料名：

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))

巻： 45 号： 1 ページ： ROMBUNNO.45-1-01 発行年： 2018年04月
JST資料番号： F0452C ISSN： 2188-7268 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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