文献
J-GLOBAL ID:201802228186381314
整理番号:18A2042270
紫外光によるn型4H-SiC MOSキャパシタの界面近傍電子および正孔トラップにおけるNO不動態化に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Study on NO Passivation on the Near Interface Electron and Hole Traps of n-Type 4H-SiC MOS Capacitors by Ultraviolet Light
著者 (6件):
Jia Yi Fan
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
,
Lv Hong Liang
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
,
Tang Xiao Yan
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
,
Song Qing Wen
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
,
Zhang Yi Men
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
,
Zhang Yu Ming
( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
449-452
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)