文献
J-GLOBAL ID:201802228235125499
整理番号:18A0079309
グラフィックスプロセッサのための16nm FinFETプロセスにおける超高密度擬似デュアルポートSRAM【Powered by NICT】
An ultra high density pseudo dual-port SRAM in 16nm FINFET process for graphics processors
著者 (5件):
Nautiyal Vivek
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Singla Gaurav
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Gupta Lalit
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Dwivedi Sagar
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Kinkade Martin
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SOCC
ページ:
12-17
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)