文献
J-GLOBAL ID:201802228259224024
整理番号:18A1255622
41Wの待機電力を持つ0.2V 32kb 10T SRAM【JST・京大機械翻訳】
A 0.2 V 32-Kb 10T SRAM With 41 nW Standby Power for IoT Applications
著者 (2件):
Chien Yung-Chen
(Department of Electrical Engineering, National Chung-Cheng University, Chiayi, Taiwan)
,
Wang Jinn-Shyan
(Department of Electrical Engineering, National Chung-Cheng University, Chiayi, Taiwan)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻:
65
号:
8
ページ:
2443-2454
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0226B
ISSN:
1549-8328
CODEN:
ITCSCH
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)