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文献
J-GLOBAL ID：201802228639912258
整理番号：18A1351618
二層MOS_2電界効果トランジスタにおける非対称Schottky接触【JST・京大機械翻訳】
Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors
Di Bartolomeo Antonio
(Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Grillo Alessandro
(Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Urban Francesca
(Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Iemmo Laura
(Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Giubileo Filippo
(CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Luongo Giuseppe
(Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy)
,
Amato Giampiero
(Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, INRIM-Strada delle Cacce, 10135, Torino, Italy)
,
Croin Luca
(Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, INRIM-Strada delle Cacce, 10135, Torino, Italy)
,
Sun Linfeng
(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea)
,
Liang Shi-Jun
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), Singapore, 487372, Singapore)
,
Liang Shi-Jun
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
,
Ang Lay Kee
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), Singapore, 487372, Singapore)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 28 号： 28 ページ： e1800657 発行年： 2018年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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